据澎湃新闻等报说念皇冠hg6668旧版，英伟达已开发出最新矫正版系列芯片——HGXH20、L20PCle和L2PCle。

据行业分析师瞻望， HGX H20芯片和L20 PCIe GPU瞻望将于2023年12月推出，而L2 PCIe加快器将于2024年1月推出。

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而值得刺想法是，固然算力上与A100有较着差距，但新款算力芯片H20 GPU领有96GB HBM3内存，内存带宽为4.0 TB/s，这比“环球”H100的3.6 TB/s带宽更高，弥补了算力上的劣势。

华泰证券暗示，AI带动的算力需求快速增长需要存储芯片进行容量与带宽上的配套， GDDR决议带宽迭代速率已难以满足，而带宽更高的HBM决议有望加快增长，瞻望HBM将在24/25年后成为商场主流。

什么是HBM？

HBM叫高带宽存储器，是AMD和SKHynix接洽推出的基于3D堆叠工夫的同步动态随即存取存储器（SDRAM），适用于高带宽需求的运用场面，运用于高性能GPU、收罗交换及转发斥地（如路由器、交换器）、高性能数据中心AI ASIC和FPGA，以及一些超等筹划机处理器中。

湘财证券指出，HBM的出生主若是为了束缚“内存墙”和“功耗墙”的问题。

在一些突出使用场景中（尤其是AI筹划领域），处理器时常需要恭候内存的数据回传，超高的延时严重拖慢了运算斥地合座的运行成果，内存带宽慢慢成为铁心筹划机发展的重要，HBM通过立体堆叠工夫制造完成，这些堆叠的芯片通过称为“中介层(Interposer)”的超快速互联神色，畅通至GPU，齐全了普通存储8.5倍的带宽，灵验束缚了内存墙问题

其次，大规模的数据传输需要CPU与存储器通过数据总线进行频繁的数据交换，传输历程消耗的功耗要比筹划本人的功耗更大，带来了成本问题，数据中心运营成本中电力成本占到56.70%，而电力成本中67.29%来自于IT负荷，HBM的低功耗上风故意于裁减数据中心动力成本。

当前，多家厂商竞相张望大模子，催生了大宗需求。

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据金融时报的报说念，2023年英伟达将出货55万片H100，2024年将出货150-200万片H100，Omdia预测2023年和2024年的HBM需求量将同比增长100%以上。2025年以后，在AI张望需乞降AI推理需求的推动下，HBM的需求将接续快速增长，SK海力士公司预测，在2027年之前，HBM商场将以82%的复合增长率保捏增长。

在此布景下，三星、好意思光、海力士三巨头总共加码HBM的成本开支。

据韩国The Elec报说念，三星电子和SK海力士两家公司加快激动12层HBM内存量产。HBM堆叠的层数越多，处理数据的材干就越强，当前主流HBM堆叠8层，而下一代12层也行将初始量产。

另据集邦半导体报说念，三星谋划在天安厂诞生一条新封装线，用于大规模坐褥HBM，该公司已销耗105亿韩元购买上述建筑和斥地等，瞻望追加投资7000亿-1万亿韩元。

好意思光方面，首席推论官Sanjay Mehrotra稍早前显现，公司HBM3E当前正在进行英伟达认证，谋划于2024年头初始大宗出货。首批HBM3E秉承8-Hi筹算，提供24GB容量和跨越1.2TB/s频宽。公司谋划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前好意思光曾显现，瞻望2024年新的HBM将带来数亿好意思元的收入。

HBM产业链主要由IP、上游材料、晶粒筹算制造、晶片制造、封装与测试等五大时局組成，国内厂商则主要处于上游材料领域。

民生证券指出，材料端来看，每个HBM封装里面齐堆叠了多层DRAMDie，各层DRAMDie之间以硅通孔（TSV）和微凸块（microbump）畅通，终末畅通到基层的HBM限度器的逻辑die。因此HBM的特有性主要体当今堆叠与互联上。

关于制造材料，HBM中枢之一在于堆叠，HBM3更是齐全了12层中枢Die的堆叠，多层堆叠关于制造材料尤其是先行者体的用量成倍培植；

关于封装材料，HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长，何况对封装高度、散热性能提倡更高要求。

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